Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > DTA114YUAT106
DTA114YUAT106

DTA114YUAT106 Rohm Semiconductor

datasheet?p=DTA114YUA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+3.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DTA114YUAT106 Rohm Semiconductor

Description: TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V, Supplier Device Package: UMT3, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 200 mW, Frequency - Transition: 250 MHz, Resistor - Base (R1): 10 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms.

Інші пропозиції DTA114YUAT106 за ціною від 3.19 грн до 18.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DTA114YUAT106 DTA114YUAT106 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=DTA114YUA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 8935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+18.05 грн
24+ 12.03 грн
100+ 5.87 грн
500+ 4.6 грн
1000+ 3.19 грн
Мінімальне замовлення: 16
DTA114YUAT106 DTA114YUAT106 Виробник : ROHM Semiconductor dta114yuat106-e-1017757.pdf Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP 50V 70MA SOT-323
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)