DTA115EET1G ONSEMI
Виробник: ONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC75; R1: 100kΩ
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC75
Current gain: 80...150
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 100kΩ
Base-emitter resistor: 100kΩ
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 125+ | 3.3 грн |
| 150+ | 2.75 грн |
| 400+ | 2.1 грн |
| 1075+ | 1.99 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DTA115EET1G ONSEMI
Description: ONSEMI - DTA115EET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 100 kohm, 100 kohm, Dauer-Kollektorstrom Ic: 100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Basis-Eingangswiderstand R1: 100, Basis-Emitter-Widerstand R2: 100, Polarität des Digitaltransistors: Einfach PNP, Bauform - HF-Transistor: SC-75, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, Widerstandsverhältnis R1/R2: 1, SVHC: No SVHC (17-Jan-2022).
Інші пропозиції DTA115EET1G за ціною від 2.39 грн до 18.05 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DTA115EET1G | Виробник : ONSEMI |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC75; R1: 100kΩ Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SC75 Current gain: 80...150 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 100kΩ Base-emitter resistor: 100kΩ кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DTA115EET1G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT PNP |
на замовлення 4446 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DTA115EET1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 100MA SC75 |
на замовлення 47 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| DTA115EET1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - DTA115EET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 100 kohm, 100 kohm Dauer-Kollektorstrom Ic: 100 Transistormontage: Oberflächenmontage Basis-Eingangswiderstand R1: 100 Basis-Emitter-Widerstand R2: 100 Polarität des Digitaltransistors: Einfach PNP Bauform - HF-Transistor: SC-75 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - Widerstandsverhältnis R1/R2: 1 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
на замовлення 27725 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| DTA115EET1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - DTA115EET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 100 kohm, 100 kohm Dauer-Kollektorstrom Ic: 100 Transistormontage: Oberflächenmontage Basis-Eingangswiderstand R1: 100 Basis-Emitter-Widerstand R2: 100 Polarität des Digitaltransistors: Einfach PNP Bauform - HF-Transistor: SC-75 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - Widerstandsverhältnis R1/R2: 1 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
на замовлення 27725 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
 |
DTA115EET1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
DTA115EET1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 100MA SC75 |
товар відсутній |