DTB123TCHZGT116 ROHM
Виробник: ROHMDescription: ROHM - DTB123TCHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 13.08 грн |
| 148+ | 5.05 грн |
| 500+ | 4.62 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DTB123TCHZGT116 ROHM
Description: ROHM - DTB123TCHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -V, Basis-Emitter-Widerstand R2: -kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Einfach PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V.
Інші пропозиції DTB123TCHZGT116 за ціною від 4.62 грн до 27.06 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DTB123TCHZGT116 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - DTB123TCHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -V Basis-Emitter-Widerstand R2: -kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V |
на замовлення 917 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
DTB123TCHZGT116 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PREBIAS PNP 40V 0.5A SST3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
DTB123TCHZGT116 | Виробник : ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - Pre-Biased DTB123TCHZG is the high reliability Automotive transistor, suitable for inverter and interface, driver. |
на замовлення 2989 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
DTB123TCHZGT116 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 40V; 0.5A; 200mW; SOT23; 2.2kΩ Kind of package: reel; tape Type of transistor: PNP Power dissipation: 0.2W Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Base resistor: 2.2kΩ Mounting: SMD Case: SOT23 Frequency: 200MHz Collector-emitter voltage: 40V Current gain: 100...600 Collector current: 0.5A кількість в упаковці: 20 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
DTB123TCHZGT116 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PREBIAS PNP 40V 0.5A SST3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
DTB123TCHZGT116 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 40V; 0.5A; 200mW; SOT23; 2.2kΩ Kind of package: reel; tape Type of transistor: PNP Power dissipation: 0.2W Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Base resistor: 2.2kΩ Mounting: SMD Case: SOT23 Frequency: 200MHz Collector-emitter voltage: 40V Current gain: 100...600 Collector current: 0.5A |
товар відсутній |