DTD114GKT146 ROHM
Виробник: ROHMDescription: ROHM - DTD114GKT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Produktpalette: DTD114GK Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 9.06 грн |
| 500+ | 8.28 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DTD114GKT146 ROHM
Description: ROHM - DTD114GKT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 10 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: -, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-346, Produktpalette: DTD114GK Series, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції DTD114GKT146 за ціною від 7.41 грн до 37.7 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DTD114GKT146 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DTD114GKT146 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SMT T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DTD114GKT146 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SMT T/R |
на замовлення 720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DTD114GKT146 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SMT T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DTD114GKT146 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - DTD114GKT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: - Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-346 Produktpalette: DTD114GK Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 868 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DTD114GKT146 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms |
на замовлення 6171 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DTD114GKT146 | Виробник : ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN 50V 500MA |
на замовлення 69 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DTD114GKT146 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SMT T/R |
на замовлення 195 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| DTD114GK T146 | Виробник : ROHM | SOT23 |
на замовлення 2893 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| DTD114GKT146 | Виробник : ROHM |
SOT-23 96+ |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |