DTDG14GPT100 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 60V 1A MPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 2V
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2 W
Frequency - Transition: 80 MHz
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 15.1 грн |
| 2000+ | 13 грн |
| 5000+ | 12.34 грн |
| 10000+ | 10.75 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DTDG14GPT100 Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS NPN 60V 1A MPT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 2V, Supplier Device Package: MPT3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 2 W, Frequency - Transition: 80 MHz, Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms.
Інші пропозиції DTDG14GPT100 за ціною від 11.28 грн до 42.76 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DTDG14GPT100 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PREBIAS NPN 60V 1A MPT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 2V Supplier Device Package: MPT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 2 W Frequency - Transition: 80 MHz Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms |
на замовлення 11912 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DTDG14GPT100 | Виробник : ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - Pre-Biased DIGITAL NPN 60V 1A |
на замовлення 1545 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| DTDG14GPT100 | Виробник : ROHM |
SOT-89 09+ |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
 |
DTDG14GPT100 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 60V; 1A; 500mW; SC62,SOT89; 10kΩ Mounting: SMD Type of transistor: NPN Power dissipation: 0.5W Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Kind of transistor: BRT Base-emitter resistor: 10kΩ Case: SC62; SOT89 Frequency: 80MHz Collector-emitter voltage: 60V Current gain: 300 Collector current: 1A кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
DTDG14GPT100 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 60V; 1A; 500mW; SC62,SOT89; 10kΩ Mounting: SMD Type of transistor: NPN Power dissipation: 0.5W Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Kind of transistor: BRT Base-emitter resistor: 10kΩ Case: SC62; SOT89 Frequency: 80MHz Collector-emitter voltage: 60V Current gain: 300 Collector current: 1A |
товар відсутній |