DZT5551Q-13

DZT5551Q-13 Diodes Incorporated


DZT5551Q.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 2 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 125000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+11.15 грн
5000+ 10.19 грн
12500+ 9.46 грн
25000+ 8.67 грн
62500+ 8.45 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DZT5551Q-13 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DZT5551Q-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 600mA, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: DZT Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 130MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції DZT5551Q-13 за ціною від 9.12 грн до 39.82 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DZT5551Q-13 DZT5551Q-13 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0002497844-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DZT5551Q-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: DZT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+20.54 грн
500+ 14.91 грн
Мінімальне замовлення: 100
DZT5551Q-13 DZT5551Q-13 Виробник : Diodes Incorporated DZT5551Q.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 2 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 125384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+33.14 грн
11+ 27.19 грн
100+ 18.92 грн
500+ 13.87 грн
1000+ 11.27 грн
Мінімальне замовлення: 9
DZT5551Q-13 DZT5551Q-13 Виробник : Diodes Incorporated DZT5551Q.pdf Bipolar Transistors - BJT Pwr Hi Voltage Transistor
на замовлення 4671 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+36.13 грн
11+ 30.25 грн
100+ 18.31 грн
500+ 14.32 грн
1000+ 11.65 грн
2500+ 9.32 грн
10000+ 9.12 грн
Мінімальне замовлення: 9
DZT5551Q-13 DZT5551Q-13 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0002497844-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DZT5551Q-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: DZT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
19+39.82 грн
23+ 32.87 грн
100+ 20.54 грн
500+ 14.91 грн
Мінімальне замовлення: 19
DZT5551Q-13 DZT5551Q-13 Виробник : Diodes Inc 3682dzt5551q.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
DZT5551Q-13 DZT5551Q-13 Виробник : Diodes Zetex 3682dzt5551q.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній