на замовлення 2012 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 44.63 грн |
| 10+ | 36.39 грн |
| 100+ | 23.97 грн |
| 500+ | 20.43 грн |
| 1000+ | 16.29 грн |
| 2500+ | 14.82 грн |
| 5000+ | 13.75 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис EFC2J013NUZTDG onsemi
Description: MOSFET N-CH 12V 17A WLCSP6 DUAL, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-SMD, No Lead, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.8W (Ta), Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA, Supplier Device Package: 6-WLCSP (2x1.49), Part Status: Active.
Інші пропозиції EFC2J013NUZTDG за ціною від 15.12 грн до 44.05 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| EFC2J013NUZTDG | Виробник : onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 12V 17A WLCSP6 DUALPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.8W (Ta) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA Supplier Device Package: 6-WLCSP (2x1.49) Part Status: Active |
на замовлення 4252 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
| EFC2J013NUZTDG | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 6216 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
| EFC2J013NUZTDG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 12V 17A 6-Pin WLCSP T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
| EFC2J013NUZTDG | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 12V 17A WLCSP6 DUAL Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.8W (Ta) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA Supplier Device Package: 6-WLCSP (2x1.49) Part Status: Active |
товар відсутній |