Продукція > ONSEMI > EFC2K107NUZTCG
EFC2K107NUZTCG

EFC2K107NUZTCG onsemi

efc2k107nuz-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 12V 20A 10WLCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.85mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 3.8V
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: 10-WLCSP (1.84x1.96)
на замовлення 4697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+62.11 грн
10+ 51.53 грн
100+ 35.65 грн
500+ 27.95 грн
1000+ 23.79 грн
2000+ 21.19 грн
Мінімальне замовлення: 5
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис EFC2K107NUZTCG onsemi

Description: MOSFET 2N-CH 12V 20A 10WLCSP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 10-SMD, No Lead, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.8W (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 12V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.85mOhm @ 5A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 3.8V, FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA, Supplier Device Package: 10-WLCSP (1.84x1.96).

Інші пропозиції EFC2K107NUZTCG

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
EFC2K107NUZTCG Виробник : ON Semiconductor efc2k107nuz-d.pdf Dual N-Channel Power MOSFET
товар відсутній
EFC2K107NUZTCG EFC2K107NUZTCG Виробник : onsemi efc2k107nuz-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 12V 20A 10WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.85mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 3.8V
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: 10-WLCSP (1.84x1.96)
товар відсутній