Технічний опис EFC4612R-S-TR ON Semiconductor
Category: Multi channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 24V; 6A; Idm: 60A; 1.6W; WLCSP4, Mounting: SMD, Drain-source voltage: 24V, Drain current: 6A, On-state resistance: 72mΩ, Type of transistor: N-MOSFET x2, Case: WLCSP4, Power dissipation: 1.6W, Polarisation: unipolar, Kind of package: reel; tape, Features of semiconductor devices: ESD protected gate, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±12V, Pulsed drain current: 60A, кількість в упаковці: 5 шт.
Інші пропозиції EFC4612R-S-TR
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| EFC4612R-S-TR | Виробник : ON Semiconductor |
на замовлення 159970 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
| EFC4612R-S-TR | Виробник : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 24V; 6A; Idm: 60A; 1.6W; WLCSP4 Mounting: SMD Drain-source voltage: 24V Drain current: 6A On-state resistance: 72mΩ Type of transistor: N-MOSFET x2 Case: WLCSP4 Power dissipation: 1.6W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: ESD protected gate Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 60A кількість в упаковці: 5 шт |
товар відсутній |
||
 |
EFC4612R-S-TR | Виробник : ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 24V 6A EFCP |
товар відсутній |
|
| EFC4612R-S-TR | Виробник : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 24V; 6A; Idm: 60A; 1.6W; WLCSP4 Mounting: SMD Drain-source voltage: 24V Drain current: 6A On-state resistance: 72mΩ Type of transistor: N-MOSFET x2 Case: WLCSP4 Power dissipation: 1.6W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: ESD protected gate Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 60A |
товар відсутній |