EMG2DXV5T5G ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - EMG2DXV5T5G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 338mW
Bauform - Transistor: SOT-553
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 714 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 6.28 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис EMG2DXV5T5G ONSEMI
Description: ONSEMI - EMG2DXV5T5G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412900, Dauer-Kollektorstrom Ic: 100mA, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 338mW, Polarität des Digitaltransistors: Zweifach NPN, Bauform - Transistor: SOT-553, Bauform - HF-Transistor: SOT-553, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50V, Anzahl der Pins: 5 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Zweifach npn, Widerstandsverhältnis R1/R2: 1Verhältnis, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (17-Jan-2022).
Інші пропозиції EMG2DXV5T5G за ціною від 6.28 грн до 34.41 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
EMG2DXV5T5G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - EMG2DXV5T5G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412900 Dauer-Kollektorstrom Ic: 100mA Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 338mW Polarität des Digitaltransistors: Zweifach NPN Bauform - Transistor: SOT-553 Bauform - HF-Transistor: SOT-553 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50V Anzahl der Pins: 5 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: Zweifach npn Widerstandsverhältnis R1/R2: 1Verhältnis Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
на замовлення 714 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
EMG2DXV5T5G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT553 |
на замовлення 3865 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||
|
|
EMG2DXV5T5G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT553 |
на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||
| EMG2DXV5T5G | Виробник : ON Semiconductor |
Bipolar Transistors - Pre-Biased 50V Dual BRT NPN |
на замовлення 5690 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
||||||||||||
| EMG2DXV5T5G | Виробник : ONSEMI |
EMG2DXV5T5G NPN SMD transistors |
товар відсутній |