Продукція > ROHM > EMH4FHAT2R
EMH4FHAT2R

EMH4FHAT2R ROHM


2311906.pdf Виробник: ROHM
Description: ROHM - EMH4FHAT2R - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-563
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 677 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+14.34 грн
500+ 9.99 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис EMH4FHAT2R ROHM

Description: ROHM - EMH4FHAT2R - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, tariffCode: 85412100, Dauer-Kollektorstrom Ic: 100mA, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Polarität des Digitaltransistors: Zweifach NPN, Bauform - Transistor: SOT-563, Bauform - HF-Transistor: SOT-563, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50V, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Zweifach npn, Widerstandsverhältnis R1/R2: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції EMH4FHAT2R за ціною від 9.99 грн до 29.81 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
EMH4FHAT2R EMH4FHAT2R Виробник : ROHM 2311906.pdf Description: ROHM - EMH4FHAT2R - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Dauer-Kollektorstrom Ic: 100mA
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Polarität des Digitaltransistors: Zweifach NPN
Bauform - Transistor: SOT-563
Bauform - HF-Transistor: SOT-563
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50V
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Widerstandsverhältnis R1/R2: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 677 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
26+29.81 грн
32+ 23.68 грн
100+ 14.34 грн
500+ 9.99 грн
Мінімальне замовлення: 26
EMH4FHAT2R EMH4FHAT2R Виробник : Rohm Semiconductor emh4fha-e.pdf Description: NPN+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR
на замовлення 7957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
EMH4FHAT2R Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR emh4fha-e.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SOT563; 10kΩ
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT563
Current gain: 100...600
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 10kΩ
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
EMH4FHAT2R EMH4FHAT2R Виробник : ROHM Semiconductor ROHM_S_A0002832474_1-2561828.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN+NPN Digital transistor (Corresponds to AEC-Q101)
товар відсутній
EMH4FHAT2R Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR emh4fha-e.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SOT563; 10kΩ
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT563
Current gain: 100...600
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 10kΩ
товар відсутній