EMH75T2R ROHM Semiconductor
Виробник: ROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased NPN+NPN Digital transistor(with built-in resistors)
на замовлення 143 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 33.25 грн |
| 13+ | 24.12 грн |
| 100+ | 7.92 грн |
| 1000+ | 5.26 грн |
| 2500+ | 4.79 грн |
| 8000+ | 3.93 грн |
| 48000+ | 3.46 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис EMH75T2R ROHM Semiconductor
Category: NPN SMD transistors, Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SOT563; R1: 4.7kΩ, Type of transistor: NPN x2, Polarisation: bipolar, Kind of transistor: BRT, Collector-emitter voltage: 50V, Collector current: 0.1A, Power dissipation: 150mW, Case: SOT563, Current gain: 80, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Frequency: 250MHz, Base resistor: 4.7kΩ, Base-emitter resistor: 47kΩ.
Інші пропозиції EMH75T2R
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
EMH75T2R | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6 |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|
|
EMH75T2R | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6 |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|
|
EMH75T2R | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6 |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| EMH75T2R | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SOT563; R1: 4.7kΩ Type of transistor: NPN x2 Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 150mW Case: SOT563 Current gain: 80 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base resistor: 4.7kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ |
товар відсутній |
||
| EMH75T2R | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SOT563; R1: 4.7kΩ Type of transistor: NPN x2 Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 150mW Case: SOT563 Current gain: 80 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base resistor: 4.7kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ |
товар відсутній |