EMX1FHAT2R ROHM
Виробник: ROHMDescription: ROHM - EMX1FHAT2R - Bipolares Transistor-Array, AEC-Q101, Zweifach npn, 50 V, 150 mA, 150 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120
Übergangsfrequenz, NPN: 180
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung, PNP: -
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung, NPN: 150
productTraceability: No
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 22940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 5.56 грн |
| 1000+ | 3.13 грн |
| 5000+ | 3.07 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис EMX1FHAT2R ROHM
Description: ROHM - EMX1FHAT2R - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 50 V, 150 mA, 150 mW, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 180MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Verlustleistung, PNP: -W, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -A, Übergangsfrequenz, PNP: -MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -hFE, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-563, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, Verlustleistung, NPN: 150mW, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Zweifach npn, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 150mA.
Інші пропозиції EMX1FHAT2R за ціною від 3 грн до 25.39 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
EMX1FHAT2R | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 150mW Automotive 6-Pin EMT T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
EMX1FHAT2R | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 150mW Automotive 6-Pin EMT T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
EMX1FHAT2R | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - EMX1FHAT2R - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 50 V, 150 mA, 150 mW tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 180MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Verlustleistung, PNP: -W MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -A Übergangsfrequenz, PNP: -MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Verlustleistung, NPN: 150mW productTraceability: No Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 150mA |
на замовлення 11920 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
EMX1FHAT2R | Виробник : ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT NPN+NPN SOT-563 .15A 120 tohFE 50V |
на замовлення 1329 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| EMX1FHAT2R | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 50V; 0.15A; 150mW; SOT563 Type of transistor: NPN x2 Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.15A Power dissipation: 0.15W Case: SOT563 Current gain: 120...560 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 180MHz кількість в упаковці: 5 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
 |
EMX1FHAT2R | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: NPN+NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 150mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V Frequency - Transition: 180MHz Supplier Device Package: EMT6 Part Status: Not For New Designs |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
EMX1FHAT2R | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: NPN+NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 150mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V Frequency - Transition: 180MHz Supplier Device Package: EMT6 Part Status: Not For New Designs |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| EMX1FHAT2R | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 50V; 0.15A; 150mW; SOT563 Type of transistor: NPN x2 Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.15A Power dissipation: 0.15W Case: SOT563 Current gain: 120...560 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 180MHz |
товар відсутній |