на замовлення 6823 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
12+ | 28.2 грн |
13+ | 24.2 грн |
100+ | 15.72 грн |
500+ | 12.32 грн |
1000+ | 9.52 грн |
2500+ | 8.66 грн |
8000+ | 7.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис EMZ8T2R ROHM Semiconductor
Description: TRANS NPN/PNP 50V/12V 6EMT, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Power - Max: 150mW, Current - Collector (Ic) (Max): 150mA, 500mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, 12V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 250mV @ 10mA, 200mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V / 270 @ 10mA, 2V, Frequency - Transition: 180MHz, 260MHz, Supplier Device Package: EMT6.
Інші пропозиції EMZ8T2R
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
EMZ8T2R | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN/PNP 50V/12V 6EMT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 150mA, 500mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, 12V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 250mV @ 10mA, 200mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V / 270 @ 10mA, 2V Frequency - Transition: 180MHz, 260MHz Supplier Device Package: EMT6 |
товар відсутній |