F3L11MR12W2M1B65BOMA1 Infineon Technologies
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис F3L11MR12W2M1B65BOMA1 Infineon Technologies
Description: LOW POWER EASY, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Three Level Inverter, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: AG-EASY2BM-2, IGBT Type: Trench, Current - Collector (Ic) (Max): 100 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 20 mW, Current - Collector Cutoff (Max): 40 µA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 7.36 nF @ 800 V.
Інші пропозиції F3L11MR12W2M1B65BOMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
F3L11MR12W2M1B65BOMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Enhancement IGBT Module |
товар відсутній |
|
 |
F3L11MR12W2M1B65BOMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: LOW POWER EASY Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Level Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: AG-EASY2BM-2 IGBT Type: Trench Current - Collector (Ic) (Max): 100 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 20 mW Current - Collector Cutoff (Max): 40 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 7.36 nF @ 800 V |
товар відсутній |