F4100R17ME4B11BPSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: IGBT MODULE 1700V 155A
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Full Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 155 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9 nF @ 25 V
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 7205.4 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис F4100R17ME4B11BPSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 1700V 155A, Packaging: Bulk, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Full Bridge, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 100A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: Module, IGBT Type: Trench Field Stop, Current - Collector (Ic) (Max): 155 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V, Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9 nF @ 25 V.
Інші пропозиції F4100R17ME4B11BPSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
F4100R17ME4B11BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
EconoDUAL™3 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 3 diode |
товар відсутній |
|
| F4100R17ME4B11BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT MODULE 1700V 155A Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Full Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 100A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 155 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9 nF @ 25 V |
товар відсутній |
||
 |
F4100R17ME4B11BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT Modules MEDIUM POWER ECONO |
товар відсутній |