FB30R06W1E3BOMA1 INFINEON
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FB30R06W1E3BOMA1 - IGBT-Modul, PIM, 39 A, 1.55 V, 115 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
Dauer-Kollektorstrom: 39A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.55V
Verlustleistung Pd: 115W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V
Produktpalette: EasyPIM
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
IGBT-Konfiguration: PIM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 39A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: INFINEON - FB30R06W1E3BOMA1 - IGBT-Modul, PIM, 39 A, 1.55 V, 115 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
Dauer-Kollektorstrom: 39A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.55V
Verlustleistung Pd: 115W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V
Produktpalette: EasyPIM
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
IGBT-Konfiguration: PIM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 39A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 2962 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FB30R06W1E3BOMA1 INFINEON
Description: INFINEON - FB30R06W1E3BOMA1 - IGBT-Modul, PIM, 39 A, 1.55 V, 115 W, 150 °C, Module, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V, Dauer-Kollektorstrom: 39A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Lötanschluss, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.55V, Verlustleistung Pd: 115W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 115W, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V, Produktpalette: EasyPIM, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V, IGBT-Konfiguration: PIM, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, DC-Kollektorstrom: 39A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції FB30R06W1E3BOMA1 за ціною від 2583.67 грн до 3011.48 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FB30R06W1E3BOMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT MODULE 600V 39A 115W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 39 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Power - Max: 115 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.65 nF @ 25 V |
на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
FB30R06W1E3BOMA1 | Виробник : Infineon Technologies | IGBT Power Module |
товар відсутній |
||||||||
FB30R06W1E3BOMA1 | Виробник : Infineon Technologies | IGBT Power Module |
товар відсутній |
||||||||
FB30R06W1E3BOMA1 | Виробник : Infineon Technologies | IGBT Power Module |
товар відсутній |
||||||||
FB30R06W1E3BOMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; single-phase diode bridge; 115W Type of module: IGBT Semiconductor structure: diode/transistor Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; single-phase diode bridge Max. off-state voltage: 0.6kV Collector current: 30A Case: AG-EASY1B-1 Electrical mounting: Press-in PCB Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A Power dissipation: 115W Technology: EasyPIM™ 1B Mechanical mounting: screw кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||
FB30R06W1E3BOMA1 | Виробник : Infineon Technologies | IGBT Modules LOW POWER EASY |
товар відсутній |
||||||||
FB30R06W1E3BOMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; single-phase diode bridge; 115W Type of module: IGBT Semiconductor structure: diode/transistor Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; single-phase diode bridge Max. off-state voltage: 0.6kV Collector current: 30A Case: AG-EASY1B-1 Electrical mounting: Press-in PCB Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A Power dissipation: 115W Technology: EasyPIM™ 1B Mechanical mounting: screw |
товар відсутній |