Продукція > INFINEON > FB30R06W1E3BOMA1
FB30R06W1E3BOMA1

FB30R06W1E3BOMA1 INFINEON


INFNS28291-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FB30R06W1E3BOMA1 - IGBT-Modul, PIM, 39 A, 1.55 V, 115 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
Dauer-Kollektorstrom: 39A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.55V
Verlustleistung Pd: 115W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V
Produktpalette: EasyPIM
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
IGBT-Konfiguration: PIM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 39A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 20 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2962 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FB30R06W1E3BOMA1 INFINEON

Description: INFINEON - FB30R06W1E3BOMA1 - IGBT-Modul, PIM, 39 A, 1.55 V, 115 W, 150 °C, Module, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V, Dauer-Kollektorstrom: 39A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Lötanschluss, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.55V, Verlustleistung Pd: 115W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 115W, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V, Produktpalette: EasyPIM, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V, IGBT-Konfiguration: PIM, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, DC-Kollektorstrom: 39A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції FB30R06W1E3BOMA1 за ціною від 2583.67 грн до 3011.48 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FB30R06W1E3BOMA1 FB30R06W1E3BOMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-FB30R06W1E3-DS-v02_01-en_de.pdf?fileId=db3a3043163797a60116387fb7fa011e Description: IGBT MODULE 600V 39A 115W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 39 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 115 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.65 nF @ 25 V
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+3011.48 грн
24+ 2583.67 грн
FB30R06W1E3BOMA1 FB30R06W1E3BOMA1 Виробник : Infineon Technologies 10446ds_fb30r06w1e3_2_1_ja-en.pdffolderiddb3a30433db6f09f013dca0fd1e35.pdf IGBT Power Module
товар відсутній
FB30R06W1E3BOMA1 FB30R06W1E3BOMA1 Виробник : Infineon Technologies 10446ds_fb30r06w1e3_2_1_ja-en.pdffolderiddb3a30433db6f09f013dca0fd1e35.pdf IGBT Power Module
товар відсутній
FB30R06W1E3BOMA1 FB30R06W1E3BOMA1 Виробник : Infineon Technologies 10446ds_fb30r06w1e3_2_1_ja-en.pdffolderiddb3a30433db6f09f013dca0fd1e35.pdf IGBT Power Module
товар відсутній
FB30R06W1E3BOMA1 FB30R06W1E3BOMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES FB30R06W1E3.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; single-phase diode bridge; 115W
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; single-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 0.6kV
Collector current: 30A
Case: AG-EASY1B-1
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Power dissipation: 115W
Technology: EasyPIM™ 1B
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FB30R06W1E3BOMA1 FB30R06W1E3BOMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_FB30R06W1E3_DS_v02_01_en_de-1840360.pdf IGBT Modules LOW POWER EASY
товар відсутній
FB30R06W1E3BOMA1 FB30R06W1E3BOMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES FB30R06W1E3.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; single-phase diode bridge; 115W
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; single-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 0.6kV
Collector current: 30A
Case: AG-EASY1B-1
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Power dissipation: 115W
Technology: EasyPIM™ 1B
Mechanical mounting: screw
товар відсутній