Продукція > ONSEMI > FCH040N65S3-F155
FCH040N65S3-F155

FCH040N65S3-F155 onsemi


fch040n65s3-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 65A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 6.5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4740 pF @ 400 V
на замовлення 1149 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+826.39 грн
30+ 644.04 грн
120+ 606.16 грн
510+ 515.53 грн
1020+ 472.87 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FCH040N65S3-F155 onsemi

Description: ONSEMI - FCH040N65S3-F155 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 65 A, 0.0354 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 65A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 417W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SuperFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0354ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).

Інші пропозиції FCH040N65S3-F155 за ціною від 501.57 грн до 893.42 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FCH040N65S3-F155 FCH040N65S3-F155 Виробник : onsemi / Fairchild FCH040N65S3_D-2311544.pdf MOSFET SuperFET3 650V 40 mOhm
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+885.1 грн
10+ 770.35 грн
25+ 614.21 грн
50+ 577.77 грн
100+ 577.11 грн
250+ 524.1 грн
450+ 501.57 грн
FCH040N65S3-F155 FCH040N65S3-F155 Виробник : ONSEMI fch040n65s3-d.pdf Description: ONSEMI - FCH040N65S3-F155 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 65 A, 0.0354 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 417W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0354ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+893.42 грн
5+ 820.58 грн
10+ 747 грн
50+ 601.84 грн
100+ 554.91 грн
250+ 503.94 грн
FCH040N65S3-F155 Виробник : ON Semiconductor fch040n65s3-d.pdf
на замовлення 2340 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FCH040N65S3-F155 FCH040N65S3-F155 Виробник : ON Semiconductor fch040n65s3-d.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FCH040N65S3-F155 FCH040N65S3-F155 Виробник : ONSEMI fch040n65s3-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 41A; Idm: 162.5A; 417W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 41A
Pulsed drain current: 162.5A
Power dissipation: 417W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 136nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FCH040N65S3-F155 FCH040N65S3-F155 Виробник : ONSEMI fch040n65s3-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 41A; Idm: 162.5A; 417W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 41A
Pulsed drain current: 162.5A
Power dissipation: 417W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 136nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній