Продукція > ONSEMI > FCH041N65EF-F155
FCH041N65EF-F155

FCH041N65EF-F155 onsemi

fch041n65ef-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 76A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 595W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 7.6mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 298 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12560 pF @ 100 V
на замовлення 414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+930.16 грн
10+ 789.52 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FCH041N65EF-F155 onsemi

Description: ONSEMI - FCH041N65EF-F155 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 76 A, 0.036 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 76A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 595W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SuperFET II FRFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).

Інші пропозиції FCH041N65EF-F155 за ціною від 523.41 грн до 1073.86 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FCH041N65EF-F155 FCH041N65EF-F155 Виробник : ONSEMI fch041n65ef-d.pdf Description: ONSEMI - FCH041N65EF-F155 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 76 A, 0.036 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 595W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET II FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+988.58 грн
5+ 903.95 грн
10+ 818.57 грн
50+ 678.04 грн
100+ 618.83 грн
250+ 567.47 грн
FCH041N65EF-F155 FCH041N65EF-F155 Виробник : onsemi / Fairchild FCH041N65EF_D-2311859.pdf MOSFET 700V NChnl SuperFET II FRFET MOSFET
на замовлення 781 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+990.74 грн
10+ 858.35 грн
25+ 582.16 грн
50+ 581.49 грн
450+ 523.41 грн
FCH041N65EF-F155 FCH041N65EF-F155 Виробник : ON Semiconductor fch041n65ef-d.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+997.15 грн
10+ 924.14 грн
30+ 792.3 грн
120+ 685.78 грн
510+ 586.02 грн
FCH041N65EF-F155 FCH041N65EF-F155 Виробник : onsemi fch041n65ef-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 76A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 595W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 7.6mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 298 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12560 pF @ 100 V
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1053.66 грн
10+ 932.29 грн
FCH041N65EF-F155 FCH041N65EF-F155 Виробник : ON Semiconductor fch041n65ef-d.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+1073.86 грн
12+ 995.23 грн
30+ 853.25 грн
120+ 738.53 грн
510+ 631.1 грн
Мінімальне замовлення: 11
FCH041N65EF-F155 FCH041N65EF-F155 Виробник : ON Semiconductor fch041n65ef-d.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FCH041N65EF-F155 Виробник : ONSEMI fch041n65ef-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 76A; Idm: 228A; 595W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 76A
Pulsed drain current: 228A
Power dissipation: 595W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 277nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FCH041N65EF-F155 FCH041N65EF-F155 Виробник : ON Semiconductor fch041n65ef-d.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FCH041N65EF-F155 FCH041N65EF-F155 Виробник : ON Semiconductor fch041n65ef-d.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FCH041N65EF-F155 FCH041N65EF-F155 Виробник : ON Semiconductor fch041n65ef-d.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FCH041N65EF-F155 Виробник : ONSEMI fch041n65ef-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 76A; Idm: 228A; 595W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 76A
Pulsed drain current: 228A
Power dissipation: 595W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 277nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній