на замовлення 1000 шт:
термін постачання 343-352 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 475.9 грн |
10+ | 422.27 грн |
25+ | 347.16 грн |
100+ | 301.09 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FCI25N60N-F102 onsemi / Fairchild
Description: MOSFET N-CH 600V 25A I2PAK, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 216W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: I2PAK (TO-262), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3352 pF @ 100 V.
Інші пропозиції FCI25N60N-F102
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
FCI25N60N-F102 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
товар відсутній |
||
FCI25N60N-F102 | Виробник : Fairchild Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 600V 25A I2PAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12.5A, 10V Power Dissipation (Max): 216W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: I2PAK (TO-262) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3352 pF @ 100 V |
товар відсутній |