Продукція > ONSEMI > FCP099N65S3
FCP099N65S3

FCP099N65S3 ONSEMI

fcp099n65s3-d.pdf Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCP099N65S3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.079 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.079ohm
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+432.88 грн
10+ 328.78 грн
100+ 265.87 грн
500+ 219.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FCP099N65S3 ONSEMI

Description: ONSEMI - FCP099N65S3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.079 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 227W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SuperFET III, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.079ohm.

Інші пропозиції FCP099N65S3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FCP099N65S3 Виробник : ON Semiconductor fcp099n65s3-d.pdf
на замовлення 31200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FCP099N65S3 FCP099N65S3 Виробник : ON Semiconductor fcp099n65s3-d.pdf N-Channel SuperFET III MOSFET
товар відсутній
FCP099N65S3 FCP099N65S3 Виробник : onsemi fcp099n65s3-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 30A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2480 pF @ 400 V
товар відсутній
FCP099N65S3 FCP099N65S3 Виробник : onsemi / Fairchild FCP099N65S3_D-2311977.pdf MOSFET SuperFET3 650V 99 mOhm,TO220 PKG
товар відсутній