FCP125N65S3R0 ONSEMI
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCP125N65S3R0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.105 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 181W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - FCP125N65S3R0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.105 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 181W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 274.11 грн |
10+ | 187.98 грн |
100+ | 166.26 грн |
500+ | 132.13 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FCP125N65S3R0 ONSEMI
Description: ONSEMI - FCP125N65S3R0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.105 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 24A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 181W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SUPERFET III, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Інші пропозиції FCP125N65S3R0 за ціною від 133.52 грн до 320.12 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FCP125N65S3R0 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 181W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.4mA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 400 V |
на замовлення 750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FCP125N65S3R0 | Виробник : onsemi | MOSFET SUPERFET3 650V 24A 125 mOhm |
на замовлення 797 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FCP125N65S3R0 | Виробник : ON Semiconductor |
на замовлення 739 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
FCP125N65S3R0 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |