FCP165N60E onsemi / Fairchild
на замовлення 3674 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 257.81 грн |
| 10+ | 218.81 грн |
| 50+ | 180.92 грн |
| 100+ | 168.24 грн |
| 250+ | 158.22 грн |
| 500+ | 138.2 грн |
| 800+ | 124.84 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FCP165N60E onsemi / Fairchild
Description: ONSEMI - FCP165N60E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23 A, 0.132 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 23A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 227W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SuperFET II, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.132ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Інші пропозиції FCP165N60E за ціною від 121.16 грн до 295.08 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FCP165N60E | Виробник : onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 600V 23A TO220Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.5A, 10V Power Dissipation (Max): 227W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2434 pF @ 380 V |
на замовлення 2415 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FCP165N60E | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 600V 23A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.5A, 10V Power Dissipation (Max): 227W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2434 pF @ 380 V |
на замовлення 3600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FCP165N60E | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FCP165N60E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23 A, 0.132 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 23A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 227W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SuperFET II productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.132ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 704 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| FCP165N60E | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 1540 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
 |
FCP165N60E | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |