Продукція > ONSEMI > FCP600N65S3R0
FCP600N65S3R0

FCP600N65S3R0 onsemi

FCP600N65S3R0_D-1805510.pdf Виробник: onsemi
MOSFET SUPERFET3 650V 6A 600 mOhm
на замовлення 3975 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+137.86 грн
10+ 122.84 грн
25+ 100.81 грн
100+ 86.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FCP600N65S3R0 onsemi

Description: MOSFET N-CH 650V 6A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V, Power Dissipation (Max): 54W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 600µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 465 pF @ 400 V.

Інші пропозиції FCP600N65S3R0 за ціною від 62.08 грн до 183.49 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FCP600N65S3R0 FCP600N65S3R0 Виробник : onsemi fcp600n65s3r0-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 6A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 600µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 465 pF @ 400 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+155.27 грн
10+ 124.06 грн
100+ 98.76 грн
800+ 78.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
FCP600N65S3R0 FCP600N65S3R0 Виробник : ONSEMI fcp600n65s3r0-d.pdf Description: ONSEMI - FCP600N65S3R0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 6 A, 0.493 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.493ohm
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+183.49 грн
10+ 134.81 грн
100+ 98.11 грн
500+ 76.5 грн
1000+ 62.08 грн
Мінімальне замовлення: 5
FCP600N65S3R0 Виробник : ON Semiconductor fcp600n65s3r0-d.pdf
на замовлення 694 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)