FCP850N80Z onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 8A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 600µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1315 pF @ 100 V
на замовлення 791 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 211.6 грн |
| 10+ | 182.9 грн |
| 100+ | 146.98 грн |
| 500+ | 113.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FCP850N80Z onsemi
Description: MOSFET N-CH 800V 8A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 3A, 10V, Power Dissipation (Max): 136W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 600µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1315 pF @ 100 V.
Інші пропозиції FCP850N80Z за ціною від 89.46 грн до 214.19 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FCP850N80Z | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET 800V 8A NChn MOSFET SuperFET II, FRFET |
на замовлення 800 шт: термін постачання 385-394 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FCP850N80Z | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
| FCP850N80Z | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 735 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
 |
FCP850N80Z | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
FCP850N80Z | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
FCP850N80Z | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
FCP850N80Z | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
FCP850N80Z | Виробник : Fairchild Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 800V 8A TO220-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 600µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1315 pF @ 100 V |
товар відсутній |