FD200R12PT4B6BOSA1

FD200R12PT4B6BOSA1 Infineon Technologies


Infineon-FD200R12PT4_B6-DS-v03_00-en_de.pdf?fileId=db3a30433a047ba0013a6e3a8c455fa0 Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 300A 1100W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 300 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1100 W
Current - Collector Cutoff (Max): 15 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 12.5 nF @ 25 V
на замовлення 86 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+15925.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FD200R12PT4B6BOSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT MOD 1200V 300A 1100W, Packaging: Bulk, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Three Phase Inverter, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 200A, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: Module, IGBT Type: Trench Field Stop, Current - Collector (Ic) (Max): 300 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 1100 W, Current - Collector Cutoff (Max): 15 µA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 12.5 nF @ 25 V.

Інші пропозиції FD200R12PT4B6BOSA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FD200R12PT4B6BOSA1 FD200R12PT4B6BOSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-FD200R12PT4_B6-DS-v03_00-en_de.pdf?fileId=db3a30433a047ba0013a6e3a8c455fa0 Description: IGBT MOD 1200V 300A 1100W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 300 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1100 W
Current - Collector Cutoff (Max): 15 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 12.5 nF @ 25 V
товар відсутній