FD250R65KE3KNOSA1

FD250R65KE3KNOSA1 Infineon Technologies


infineon-fd250r65ke3-k-datasheet-v01_10-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 6500V 250A 1000W 7-Pin IHV130-6 Tray
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FD250R65KE3KNOSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT MOD 6500V 250A 4800W, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Single, Operating Temperature: -50°C ~ 125°C, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 250A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: Module, Current - Collector (Ic) (Max): 250 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 6500 V, Power - Max: 4800 W, Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 69 nF @ 25 V.

Інші пропозиції FD250R65KE3KNOSA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FD250R65KE3KNOSA1 FD250R65KE3KNOSA1 Виробник : Infineon Technologies 1626071271535412dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileiddb3a3043382e837.pdf Trans IGBT Module N-CH 6500V 250A 1000000mW Automotive 7-Pin IHV130-6 Tray
товар відсутній
FD250R65KE3KNOSA1 FD250R65KE3KNOSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-FD250R65KE3_K-DS-v03_00-en_de.pdf?fileId=db3a3043382e8373013895afab4b16b1 Description: IGBT MOD 6500V 250A 4800W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -50°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 250A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
Current - Collector (Ic) (Max): 250 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 6500 V
Power - Max: 4800 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 69 nF @ 25 V
товар відсутній