FD400R33KF2CNOSA1

FD400R33KF2CNOSA1 Infineon Technologies


8143ds_fd400r33kf2c_2_1.pdffolderiddb3a304412b407950112b4095b0601e3fi.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 3300V 660A 4800mW Automotive Tray
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FD400R33KF2CNOSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT MOD 3300V 660A 4800W, Packaging: Bulk, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Single Chopper, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4.25V @ 15V, 400A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: Module, Current - Collector (Ic) (Max): 660 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3300 V, Power - Max: 4800 W, Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 50 nF @ 25 V.

Інші пропозиції FD400R33KF2CNOSA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FD400R33KF2CNOSA1 FD400R33KF2CNOSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-FD400R33KF2C-DS-v02_03-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b430243f4f3e Description: IGBT MOD 3300V 660A 4800W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single Chopper
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4.25V @ 15V, 400A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
Current - Collector (Ic) (Max): 660 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3300 V
Power - Max: 4800 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 50 nF @ 25 V
товар відсутній