Продукція > ONSEMI > FDB029N06
FDB029N06

FDB029N06 onsemi

fdb029n06-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9815 pF @ 25 V
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+298.69 грн
1600+ 250.52 грн
2400+ 241.24 грн
Мінімальне замовлення: 800
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDB029N06 onsemi

Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 75A, 10V, Power Dissipation (Max): 231W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: D²PAK (TO-263), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9815 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FDB029N06 за ціною від 225.65 грн до 458.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDB029N06 FDB029N06 Виробник : onsemi / Fairchild FDB029N06_D-2311984.pdf MOSFET NCH 60V 2.9Mohm
на замовлення 802 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+403.46 грн
10+ 370.06 грн
25+ 310.44 грн
100+ 279.06 грн
250+ 276.39 грн
500+ 257.03 грн
800+ 225.65 грн
FDB029N06 FDB029N06 Виробник : onsemi fdb029n06-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9815 pF @ 25 V
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+458.58 грн
10+ 398.97 грн
100+ 330.32 грн
FDB029N06 FDB029N06 Виробник : ON Semiconductor 4505652550987506fdb029n06-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 193A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній