Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDB047N10
FDB047N10

FDB047N10 ON Semiconductor

fdb047n10.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+136.3 грн
Мінімальне замовлення: 800
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDB047N10 ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 75A, 10V, Power Dissipation (Max): 375W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15265 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FDB047N10 за ціною від 129.52 грн до 299.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDB047N10 FDB047N10 Виробник : ON Semiconductor fdb047n10.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+159.95 грн
1600+ 147.07 грн
Мінімальне замовлення: 800
FDB047N10 FDB047N10 Виробник : ON Semiconductor fdb047n10.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+163.63 грн
Мінімальне замовлення: 800
FDB047N10 FDB047N10 Виробник : ON Semiconductor fdb047n10.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+171.85 грн
1600+ 158.01 грн
Мінімальне замовлення: 800
FDB047N10 FDB047N10 Виробник : ON Semiconductor fdb047n10.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+176.22 грн
Мінімальне замовлення: 800
FDB047N10 FDB047N10 Виробник : ON Semiconductor fdb047n10.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+277.86 грн
10+ 236.58 грн
25+ 223.25 грн
100+ 181.05 грн
250+ 165.37 грн
500+ 141.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDB047N10 FDB047N10 Виробник : onsemi / Fairchild FDB047N10_D-2311986.pdf MOSFET 100V N-Channel PowerTrench
на замовлення 11380 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+281.18 грн
10+ 236.47 грн
25+ 190.27 грн
100+ 164.23 грн
250+ 162.9 грн
500+ 141.53 грн
800+ 129.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDB047N10 FDB047N10 Виробник : ON Semiconductor fdb047n10.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
40+299.24 грн
46+ 254.77 грн
49+ 240.42 грн
100+ 194.98 грн
250+ 178.1 грн
500+ 152.58 грн
Мінімальне замовлення: 40
FDB047N10 Виробник : FSC FAIRS46508-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw TO263 10+
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB047N10 Виробник : ONSEMI FAIRS46508-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 164A; Idm: 656A; 375W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 164A
Pulsed drain current: 656A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDB047N10 FDB047N10 Виробник : onsemi FAIRS46508-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15265 pF @ 25 V
товар відсутній
FDB047N10 FDB047N10 Виробник : onsemi FAIRS46508-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15265 pF @ 25 V
товар відсутній
FDB047N10 Виробник : ONSEMI FAIRS46508-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 164A; Idm: 656A; 375W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 164A
Pulsed drain current: 656A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній