на замовлення 1288 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 373.08 грн |
| 10+ | 335.51 грн |
| 25+ | 291.08 грн |
| 100+ | 263.04 грн |
| 250+ | 262.37 грн |
| 500+ | 245.68 грн |
| 800+ | 208.3 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDB082N15A onsemi / Fairchild
Description: MOSFET N-CH 150V 117A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 117A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 75A, 10V, Power Dissipation (Max): 294W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6040 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FDB082N15A за ціною від 280.8 грн до 408.03 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDB082N15A | Виробник : onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 150V 117A D2PAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 117A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 294W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6040 pF @ 25 V |
на замовлення 618 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
FDB082N15A | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 117A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||
 |
FDB082N15A | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 117A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||
|
|
FDB082N15A | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 117A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||
|
|
FDB082N15A | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 117A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||
 |
FDB082N15A | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; Idm: 468A; 294W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Case: D2PAK Mounting: SMD Power dissipation: 294W Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 150V Drain current: 83A On-state resistance: 8.2mΩ Polarisation: unipolar Gate charge: 84nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 468A кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||
|
|
FDB082N15A | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 150V 117A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 117A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 294W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6040 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||||||
|
|
FDB082N15A | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; Idm: 468A; 294W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Case: D2PAK Mounting: SMD Power dissipation: 294W Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 150V Drain current: 83A On-state resistance: 8.2mΩ Polarisation: unipolar Gate charge: 84nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 468A |
товар відсутній |