FDB13AN06A0 ON Semiconductor
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 102.17 грн |
| 10+ | 93.1 грн |
| 25+ | 68.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDB13AN06A0 ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 10.9A/62A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Ta), 62A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 62A, 10V, Power Dissipation (Max): 115W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FDB13AN06A0 за ціною від 62.69 грн до 151.88 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDB13AN06A0 | Виробник : onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 60V 10.9A/62A D2PAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Ta), 62A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 62A, 10V Power Dissipation (Max): 115W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V |
на замовлення 266 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FDB13AN06A0 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET N-Channel PowerTrench |
на замовлення 6267 шт: термін постачання 189-198 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDB13AN06A0 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 10.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 29 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
| FDB13AN06A0 | Виробник : ON-Semicoductor |
Transistor N-MOSFET; 60V; 10V; 13,5mOhm; 62A; 115W; -55°C ~ 175°C; FDB13AN06A0 TFDB13AN06A0 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
|
FDB13AN06A0 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 10.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
FDB13AN06A0 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 10.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
FDB13AN06A0 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 10.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
FDB13AN06A0 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 10.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
FDB13AN06A0 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 62A; 115W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 62A Power dissipation: 115W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 34mΩ Mounting: SMD Gate charge: 29nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
FDB13AN06A0 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 10.9A/62A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Ta), 62A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 62A, 10V Power Dissipation (Max): 115W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
FDB13AN06A0 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 62A; 115W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 62A Power dissipation: 115W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 34mΩ Mounting: SMD Gate charge: 29nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |