на замовлення 6250 шт:
термін постачання 357-366 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 275.72 грн |
| 10+ | 228.79 грн |
| 100+ | 164.23 грн |
| 250+ | 162.23 грн |
| 500+ | 160.89 грн |
| 800+ | 138.2 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDB15N50 onsemi / Fairchild
Description: MOSFET N-CH 500V 15A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FDB15N50
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
FDB15N50 Код товару: 46102 |
 Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 |
товар відсутній
|
||
 |
FDB15N50 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 500V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|
 |
FDB15N50 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 300W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 11A Power dissipation: 300W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.33Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
 |
FDB15N50 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 500V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|
|
|
FDB15N50 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 500V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|
 |
FDB15N50 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 500V 15A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|
|
|
FDB15N50 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 500V 15A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|
|
|
FDB15N50 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 300W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 11A Power dissipation: 300W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.33Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |