FDB16AN08A0 onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 75V 9A/58A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 58A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1857 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 75V 9A/58A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 58A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1857 pF @ 25 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
800+ | 106.49 грн |
1600+ | 87.01 грн |
2400+ | 82.66 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDB16AN08A0 onsemi
Description: MOSFET N-CH 75V 9A/58A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 58A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 58A, 10V, Power Dissipation (Max): 135W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1857 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FDB16AN08A0 за ціною від 77.44 грн до 198.61 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FDB16AN08A0 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 75V 9A/58A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 58A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 58A, 10V Power Dissipation (Max): 135W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1857 pF @ 25 V |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDB16AN08A0 | Виробник : onsemi / Fairchild | MOSFET Discrete Auto N-Ch UltraFET Trench |
на замовлення 2377 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDB16AN08A0 | Виробник : fairchild | 07+ to-263/d2-pak |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
FDB16AN08A0 | Виробник : fairchild | to-263/d2-pak |
на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
FDB16AN08A0 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDB16AN08A0 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
на замовлення 72 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
FDB16AN08A0 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 75V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
FDB16AN08A0 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDB16AN08A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 58 A, 0.016 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75 Dauer-Drainstrom Id: 58 hazardous: false Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 euEccn: NLR Verlustleistung: 135 Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
FDB16AN08A0 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 75V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |