на замовлення 1600 шт:
термін постачання 627-636 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 521.85 грн |
10+ | 440.69 грн |
100+ | 319.12 грн |
500+ | 281.73 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDB1D7N10CL7 onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 268A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 268A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.65mOhm @ 100A, 15V, Power Dissipation (Max): 250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 700µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 15V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11600 pF @ 50 V.
Інші пропозиції FDB1D7N10CL7
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
FDB1D7N10CL7 | Виробник : ON Semiconductor |
на замовлення 737 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
FDB1D7N10CL7 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 268A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
||
FDB1D7N10CL7 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 268A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
||
FDB1D7N10CL7 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 268A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
||
FDB1D7N10CL7 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 268A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 268A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.65mOhm @ 100A, 15V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 700µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 15V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11600 pF @ 50 V |
товар відсутній |
||
FDB1D7N10CL7 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 268A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 268A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.65mOhm @ 100A, 15V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 700µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 15V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11600 pF @ 50 V |
товар відсутній |