Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDB2532
FDB2532

FDB2532 ON Semiconductor

fdp2532-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+201.47 грн
Мінімальне замовлення: 800
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDB2532 ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 150V 8A/79A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 79A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 33A, 10V, Power Dissipation (Max): 310W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5870 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FDB2532 за ціною від 120.08 грн до 306.46 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDB2532 FDB2532 Виробник : ON Semiconductor fdp2532-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+204.56 грн
10+ 184.42 грн
25+ 172.98 грн
100+ 150.94 грн
250+ 132.58 грн
500+ 120.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDB2532 FDB2532 Виробник : ON Semiconductor fdp2532-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
54+220.29 грн
59+ 198.61 грн
63+ 186.28 грн
100+ 162.55 грн
250+ 142.78 грн
500+ 129.31 грн
Мінімальне замовлення: 54
FDB2532 FDB2532 Виробник : ONSEMI FDX2532-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 56A; 310W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 56A
Power dissipation: 310W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 82nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 406 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+255.38 грн
5+ 167.6 грн
14+ 158.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDB2532 FDB2532 Виробник : onsemi FAIRS45678-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 150V 8A/79A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5870 pF @ 25 V
на замовлення 206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+282.37 грн
10+ 228.1 грн
100+ 184.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDB2532 FDB2532 Виробник : onsemi / Fairchild FDI2532_D-2312233.pdf MOSFET 150V N-Channel QFET Trench
на замовлення 1425 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+306.1 грн
10+ 254.13 грн
100+ 178.92 грн
500+ 173.58 грн
800+ 140.2 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDB2532 FDB2532 Виробник : ONSEMI FDX2532-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 56A; 310W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 56A
Power dissipation: 310W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 82nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 406 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+306.46 грн
5+ 208.85 грн
14+ 190.27 грн
800+ 189.44 грн
FDB2532 FDB2532
Код товару: 61087 		FAIRS45678-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
FDB2532 FDB2532 Виробник : ON Semiconductor fdi2532.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB2532 FDB2532 Виробник : ON Semiconductor fdp2532-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB2532 FDB2532 Виробник : onsemi FAIRS45678-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 150V 8A/79A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5870 pF @ 25 V
товар відсутній