FDB2572 ON Semiconductor
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 98.79 грн |
| 10+ | 90.31 грн |
| 25+ | 89.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDB2572 ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO263AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 29A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 9A, 10V, Power Dissipation (Max): 135W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FDB2572 за ціною від 61.82 грн до 150.32 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDB2572 | Виробник : onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO263ABPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 29A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 135W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V |
на замовлення 275 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDB2572 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET N-Channel UltraFET |
на замовлення 489 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDB2572 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 48 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
|
FDB2572 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
FDB2572 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 29A; 135W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 29A Power dissipation: 135W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 146mΩ Mounting: SMD Gate charge: 34nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
FDB2572 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 29A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 135W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
FDB2572 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 29A; 135W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 29A Power dissipation: 135W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 146mΩ Mounting: SMD Gate charge: 34nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |