на замовлення 2278 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 93.47 грн |
10+ | 82.92 грн |
100+ | 64.56 грн |
250+ | 58.95 грн |
500+ | 58.48 грн |
800+ | 47.93 грн |
2400+ | 46.8 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDB3502 onsemi / Fairchild
Description: MOSFET N-CH 75V 6A/14A TO263AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 14A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 6A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 41W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 815 pF @ 40 V.
Інші пропозиції FDB3502 за ціною від 53.77 грн до 111.22 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FDB3502 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 75V 6A/14A TO263AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 41W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 815 pF @ 40 V |
на замовлення 619 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
FDB3502 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDB3502 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
на замовлення 18155 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
FDB3502 | Виробник : ON Semiconductor |
на замовлення 790 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||
FDB3502 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 75V 6A/14A TO263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 41W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 815 pF @ 40 V |
товар відсутній |