Продукція > ONSEMI > FDB3672-F085
FDB3672-F085

FDB3672-F085 onsemi

fdb3672_f085-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 7.2A/44A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V
на замовлення 777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+184.16 грн
10+ 159.39 грн
100+ 128.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDB3672-F085 onsemi

Description: MOSFET N-CH 100V 7.2A/44A TO263, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 44A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 44A, 10V, Power Dissipation (Max): 120W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: D²PAK (TO-263), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FDB3672-F085 за ціною від 99.47 грн до 193.16 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDB3672-F085 FDB3672-F085 Виробник : onsemi / Fairchild FDB3672_F085_D-1806539.pdf MOSFET 100V 44A N-Channel PowerTrench
на замовлення 1157 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+193.16 грн
10+ 171.98 грн
25+ 141.53 грн
100+ 120.17 грн
500+ 99.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDB3672_F085 FDB3672_F085 Виробник : Fairchild Semiconductor FDB3672_F085.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK
на замовлення 10213200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDB3672_F085 FDB3672_F085 Виробник : Fairchild Semiconductor FDB3672_F085.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK
на замовлення 1021 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDB3672_F085 FDB3672_F085 Виробник : Fairchild Semiconductor FDB3672_F085.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDB3672-F085 FDB3672-F085 Виробник : onsemi fdb3672_f085-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 7.2A/44A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V
товар відсутній