FDB86363-F085 ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - FDB86363-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 110 A, 0.0038 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 110
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: Power Trench FDD
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0038
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 3293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 278.6 грн |
| 10+ | 250.89 грн |
| 100+ | 205.21 грн |
| 500+ | 162.73 грн |
| 800+ | 147 грн |
| 1600+ | 144.44 грн |
| 2400+ | 141.23 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDB86363-F085 ONSEMI
Description: ONSEMI - FDB86363-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 110 A, 0.0038 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80, Dauer-Drainstrom Id: 110, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 300, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3, Verlustleistung: 300, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: Power Trench FDD, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0038, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 175, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038, SVHC: Lead (10-Jun-2022).
Інші пропозиції FDB86363-F085 за ціною від 151.55 грн до 362.18 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDB86363-F085 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 80V 110A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D²PAK (TO-263) Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 40 V |
на замовлення 22 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDB86363-F085 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET N-Channel Power Trench MOSFET |
на замовлення 1540 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDB86363_F085 | Виробник : Fairchild Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 80V 110A TO263 |
на замовлення 725 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
FDB86363_F085 | Виробник : Fairchild Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 80V 110A TO263 |
на замовлення 725 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
 |
FDB86363-F085 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
FDB86363_F085 | Виробник : Fairchild Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 80V 110A TO263 |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
FDB86363-F085 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 80V 110A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D²PAK (TO-263) Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 40 V |
товар відсутній |