Продукція > ONSEMI > FDC5661N
FDC5661N

FDC5661N onsemi

fdc5661n-d.pdf Виробник: onsemi
Description: FET 60V 50.0 MOHM SSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-23-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 763 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+14.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDC5661N onsemi

Description: FET 60V 50.0 MOHM SSOT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 4.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: TSOT-23-6, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 763 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FDC5661N за ціною від 13.09 грн до 41.98 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDC5661N FDC5661N Виробник : onsemi fdc5661n-d.pdf Description: FET 60V 50.0 MOHM SSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-23-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 763 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+39 грн
10+ 33.24 грн
25+ 31.27 грн
100+ 22.24 грн
250+ 18.93 грн
500+ 17.98 грн
1000+ 13.5 грн
Мінімальне замовлення: 8
FDC5661N Виробник : onsemi FDC5661N_D-3150121.pdf MOSFET FET 60V 50.0 MOHM SSOT6
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+41.98 грн
10+ 36.93 грн
100+ 21.9 грн
500+ 18.29 грн
1000+ 15.56 грн
3000+ 14.09 грн
6000+ 13.09 грн
Мінімальне замовлення: 8
FDC5661N Виробник : ON Semiconductor truese_nods.pdf FET Power SM Transistor
товар відсутній
FDC5661N Виробник : ON Semiconductor FDC5661N_F085_D-2312057.pdf MOSFET FET 60V 50.0 MOHM SSOT6
товар відсутній