Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDC6305N
FDC6305N

FDC6305N ON Semiconductor

fdc6305n-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 105000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+12.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDC6305N ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDC6305N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.7 A, 0.08 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.7A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.08ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 960mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Інші пропозиції FDC6305N за ціною від 10.95 грн до 50.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDC6305N FDC6305N Виробник : ON Semiconductor fdc6305n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 105000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+13.62 грн
9000+ 12.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDC6305N FDC6305N Виробник : ON Semiconductor fdc6305n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+13.88 грн
9000+ 12.52 грн
24000+ 12.4 грн
45000+ 11.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDC6305N FDC6305N Виробник : onsemi fdc6305n-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 2.7A SSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+14.1 грн
6000+ 12.88 грн
9000+ 11.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDC6305N FDC6305N Виробник : ON Semiconductor fdc6305n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 105000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+14.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDC6305N FDC6305N Виробник : ON Semiconductor 3657255357061650fdc6305n.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
22+14.25 грн
Мінімальне замовлення: 22
FDC6305N FDC6305N Виробник : ON Semiconductor fdc6305n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+15.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDC6305N FDC6305N Виробник : ON Semiconductor fdc6305n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 5875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
708+16.53 грн
Мінімальне замовлення: 708
FDC6305N FDC6305N Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0014832239-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC6305N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.7 A, 0.08 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.08ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 24819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+28.53 грн
500+ 20.86 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDC6305N FDC6305N Виробник : ON Semiconductor fdc6305n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
18+32.31 грн
21+ 28.74 грн
100+ 22.11 грн
500+ 17.5 грн
1000+ 13.64 грн
3000+ 10.95 грн
Мінімальне замовлення: 18
FDC6305N FDC6305N Виробник : ON Semiconductor fdc6305n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
18+33.57 грн
20+ 29.76 грн
100+ 22.72 грн
500+ 17.92 грн
1000+ 13.92 грн
Мінімальне замовлення: 18
FDC6305N FDC6305N Виробник : ONSEMI FDC6305N.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 2.7A; 0.96W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Type of transistor: N-MOSFET x2
Gate-source voltage: ±8V
Case: SuperSOT-6
On-state resistance: 128mΩ
Power dissipation: 0.96W
Gate charge: 5nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: 2.7A
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1845 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+36.02 грн
25+ 23.37 грн
48+ 17.01 грн
131+ 16.08 грн
Мінімальне замовлення: 11
FDC6305N FDC6305N Виробник : onsemi fdc6305n-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 2.7A SSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
на замовлення 24676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+41.89 грн
10+ 34.42 грн
100+ 23.93 грн
500+ 17.53 грн
1000+ 14.25 грн
Мінімальне замовлення: 7
FDC6305N FDC6305N Виробник : ONSEMI FDC6305N.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 2.7A; 0.96W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Type of transistor: N-MOSFET x2
Gate-source voltage: ±8V
Case: SuperSOT-6
On-state resistance: 128mΩ
Power dissipation: 0.96W
Gate charge: 5nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: 2.7A
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1845 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+43.23 грн
25+ 29.12 грн
48+ 20.41 грн
131+ 19.3 грн
Мінімальне замовлення: 7
FDC6305N FDC6305N Виробник : onsemi / Fairchild FDC6305N_D-2311998.pdf MOSFET SSOT-6 N-CH 20V
на замовлення 63315 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+44.16 грн
10+ 37.16 грн
100+ 22.63 грн
500+ 17.76 грн
1000+ 14.49 грн
3000+ 12.42 грн
9000+ 11.55 грн
Мінімальне замовлення: 8
FDC6305N FDC6305N Виробник : ON Semiconductor fdc6305n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 5875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+44.27 грн
16+ 37.52 грн
25+ 37.16 грн
100+ 24.92 грн
250+ 22.86 грн
500+ 17.02 грн
1000+ 13.75 грн
3000+ 11.3 грн
Мінімальне замовлення: 14
FDC6305N FDC6305N Виробник : ONSEMI fdc6305n-d.pdf Description: ONSEMI - FDC6305N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.7 A, 0.08 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.08ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 23489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+50.25 грн
19+ 41.27 грн
100+ 25.99 грн
500+ 18.85 грн
Мінімальне замовлення: 15