Продукція > FAIRCHILD SEMICONDUCTOR > FDFM2P110
FDFM2P110

FDFM2P110 Fairchild Semiconductor

FAIRS34514-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 3.5A MICROFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 3.5A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: MicroFET 3x3mm
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 10 V
на замовлення 2879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
761+25.73 грн
Мінімальне замовлення: 761
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDFM2P110 Fairchild Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 20V 3.5A MICROFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 3.5A, 4.5V, FET Feature: Schottky Diode (Isolated), Power Dissipation (Max): 2W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: MicroFET 3x3mm, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 10 V.

Інші пропозиції FDFM2P110

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDFM2P110 FDFM2P110 Виробник : ON Semiconductor / Fairchild FDFM2P110-1305558.pdf MOSFET DUAL Pwr MOSFET & SCHOTTKY DIODE
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FDFM2P110 Виробник : FAIRCHIL FAIRS34514-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fdfm2p110-d.pdf QFN6 0905+
на замовлення 56074 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDFM2P110 FDFM2P110 Виробник : ON Semiconductor 3669254083961790fdfm2p110.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
FDFM2P110 FDFM2P110 Виробник : onsemi fdfm2p110-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 3.5A MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 3.5A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: MicroFET 3x3mm
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 10 V
товар відсутній