FDFMA2P853 Fairchild Semiconductor
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 3A 6MICROFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 10 V
Description: MOSFET P-CH 20V 3A 6MICROFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 10 V
на замовлення 20063 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
893+ | 22.72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDFMA2P853 Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 3A 6MICROFET, Packaging: Bulk, Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3A, 4.5V, FET Feature: Schottky Diode (Isolated), Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 10 V.
Інші пропозиції FDFMA2P853 за ціною від 25.17 грн до 58.57 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FDFMA2P853 | Виробник : onsemi / Fairchild | MOSFET MLP 2X2 DUAL INTEGRATED PCH PO |
на замовлення 41 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||
FDFMA2P853 | Виробник : FAI | QFN 0632+ |
на замовлення 1306 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
FDFMA2P853 | Виробник : FAIRCHILD | 09+ |
на замовлення 9018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
FDFMA2P853 | Виробник : FAIROHILD | QFN |
на замовлення 10900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
FDFMA2P853 | Виробник : FSC |
на замовлення 1845 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |