Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDM3622
FDM3622

FDM3622 ON Semiconductor

fdm3622jp-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 4.4A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+43.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDM3622 ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 100V 4.4A 8MLP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FDM3622 за ціною від 44.57 грн до 122.44 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDM3622 FDM3622 Виробник : onsemi fdm3622-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 4.4A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 25 V
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+120.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDM3622 FDM3622 Виробник : onsemi / Fairchild FDM3622_D-2312484.pdf MOSFET 100V N-Ch PowerTrench MOSFET
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+122.44 грн
10+ 108.47 грн
100+ 73.73 грн
500+ 60.51 грн
1000+ 49.55 грн
3000+ 44.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDM3622 Виробник : ONSEMI fdm3622-d.pdf FAIR-S-A0002365655-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDM3622 SMD N channel transistors
товар відсутній
FDM3622 FDM3622 Виробник : onsemi fdm3622-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 4.4A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 25 V
товар відсутній
FDM3622 Виробник : Fairchild Semiconductor FAIR-S-A0002365655-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 25 V
товар відсутній