FDMA1028NZ_F021

FDMA1028NZ_F021 Fairchild Semiconductor


FDMA1028NZ.pdf Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 20V 3.7A MICROFET
на замовлення 294887000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMA1028NZ_F021 Fairchild Semiconductor

Category: Multi channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 3.7A; Idm: 6A; 1.4W, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Drain current: 3.7A, Kind of channel: enhanced, Drain-source voltage: 20V, Type of transistor: N-MOSFET x2, Case: MicroFET, On-state resistance: 90mΩ, Gate-source voltage: ±12V, Pulsed drain current: 6A, Power dissipation: 1.4W, Gate charge: 6nC, Polarisation: unipolar.

Інші пропозиції FDMA1028NZ_F021

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDMA1028NZ_F021 FDMA1028NZ_F021 Виробник : Fairchild Semiconductor FDMA1028NZ.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 3.7A MICROFET
на замовлення 294887000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDMA1028NZ_F021 FDMA1028NZ_F021 Виробник : Fairchild Semiconductor FDMA1028NZ.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 3.7A MICROFET
на замовлення 87000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDMA1028NZ-F021 FDMA1028NZ-F021 Виробник : ON Semiconductor fdma1028nz-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
FDMA1028NZ-F021 FDMA1028NZ-F021 Виробник : onsemi fdma1028nz-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 3.7A MICROFET
товар відсутній
FDMA1028NZ-F021 FDMA1028NZ-F021 Виробник : onsemi fdma1028nz-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 3.7A MICROFET
товар відсутній
FDMA1028NZ-F021 FDMA1028NZ-F021 Виробник : onsemi / Fairchild FDMA1028NZ_D-2312296.pdf MOSFET NCh 80V 171A 68mOhm PowerTrench MOSFET
товар відсутній
FDMA1028NZ-F021 Виробник : ONSEMI fdma1028nz-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 3.7A; Idm: 6A; 1.4W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 3.7A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 20V
Type of transistor: N-MOSFET x2
Case: MicroFET
On-state resistance: 90mΩ
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 1.4W
Gate charge: 6nC
Polarisation: unipolar
товар відсутній