Продукція > ONSEMI > FDMA410NZT-F130
FDMA410NZT-F130

FDMA410NZT-F130 onsemi

fdma410nzt-d.pdf Виробник: onsemi
Description: PT4 NCH 20/8V ZENER IN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 9.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (2.05x2.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 10 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+21.92 грн
6000+ 19.99 грн
9000+ 18.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMA410NZT-F130 onsemi

Description: PT4 NCH 20/8V ZENER IN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 9.5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 900mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-UDFN (2.05x2.05), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 10 V.

Інші пропозиції FDMA410NZT-F130 за ціною від 22.24 грн до 57.48 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDMA410NZT-F130 FDMA410NZT-F130 Виробник : onsemi fdma410nzt-d.pdf Description: PT4 NCH 20/8V ZENER IN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 9.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (2.05x2.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 10 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+57.48 грн
10+ 48.09 грн
100+ 33.32 грн
500+ 26.13 грн
1000+ 22.24 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDMA410NZT-F130 Виробник : onsemi FDMA410NZT_D-2312208.pdf MOSFET 20 V Ultra Thin N-Channel 1.5 V PowerTrench MOSFET
товар відсутній