на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 23.35 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMA530PZ ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDMA530PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.8 A, 0.03 ohm, µFET, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.4W, Bauform - Transistor: µFET, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 25V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції FDMA530PZ за ціною від 20.81 грн до 84.38 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDMA530PZ | Виробник : onsemi |
 Description: MOSFET P-CH 30V 6.8A 6MICROFETPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6.8A, 10V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1070 pF @ 15 V |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMA530PZ | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMA530PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.8 A, 0.03 ohm, µFET, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.4W Bauform - Transistor: µFET Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 25V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 1215 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMA530PZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 6.8A 6-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 554 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMA530PZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 6.8A 6-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 554 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMA530PZ | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 30V 6.8A 6MICROFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6.8A, 10V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1070 pF @ 15 V |
на замовлення 21810 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMA530PZ | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET -30V P-Ch PowerTrench MOSFET |
на замовлення 20806 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMA530PZ | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMA530PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.8 A, 0.03 ohm, µFET, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.4W Bauform - Transistor: µFET Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 25V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 1215 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMA530PZ | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -6.8A; 2.4W; MicroFET Type of transistor: P-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -6.8A Power dissipation: 2.4W Case: MicroFET Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 65mΩ Mounting: SMD Gate charge: 11nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 1133 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMA530PZ | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -6.8A; 2.4W; MicroFET Type of transistor: P-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -6.8A Power dissipation: 2.4W Case: MicroFET Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 65mΩ Mounting: SMD Gate charge: 11nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1133 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMA530PZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 6.8A 6-Pin WDFN EP T/R |
товар відсутній |