FDMA7672 onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 15 V
на замовлення 2498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 74.31 грн |
| 10+ | 64.12 грн |
| 100+ | 50.03 грн |
| 500+ | 38.78 грн |
| 1000+ | 30.62 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMA7672 onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 9A 6MICROFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 9A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 15 V.
Інші пропозиції FDMA7672 за ціною від 28.67 грн до 78.6 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDMA7672 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET 30V Single N-Channel PowerTrench MOSFET |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 745-754 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDMA7672 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 9A 6-Pin WDFN EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
| FDMA7672 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9A; Idm: 24A; 2.4W; MicroFET Mounting: SMD Pulsed drain current: 24A Power dissipation: 2.4W Gate charge: 13nC Polarisation: unipolar Drain current: 9A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 30V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Case: MicroFET On-state resistance: 32mΩ кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
 |
FDMA7672 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 9A 6-Pin WDFN EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
FDMA7672 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 9A 6-Pin WDFN EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
FDMA7672 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 9A 6-Pin WDFN EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
FDMA7672 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 9A 6-Pin WDFN EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
FDMA7672 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 9A 6MICROFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 15 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||
| FDMA7672 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9A; Idm: 24A; 2.4W; MicroFET Mounting: SMD Pulsed drain current: 24A Power dissipation: 2.4W Gate charge: 13nC Polarisation: unipolar Drain current: 9A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 30V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Case: MicroFET On-state resistance: 32mΩ |
товар відсутній |