FDMA8051L onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 10A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 20 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 29.27 грн |
| 6000+ | 26.85 грн |
| 9000+ | 25.61 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMA8051L onsemi
Description: ONSEMI - FDMA8051L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 10 A, 0.011 ohm, WDFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 2.4W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.4W, Bauform - Transistor: WDFN, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.011ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm.
Інші пропозиції FDMA8051L за ціною від 26.5 грн до 84.2 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDMA8051L | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMA8051L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 10 A, 0.011 ohm, WDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 2.4W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.4W Bauform - Transistor: WDFN Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.011ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm |
на замовлення 8484 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMA8051L | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 40V 10A 6MICROFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 20 V |
на замовлення 22289 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMA8051L | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET FET 40V 14.0 MOHM MLP22 |
на замовлення 14806 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMA8051L | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMA8051L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 10 A, 0.011 ohm, WDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.4W Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm |
на замовлення 8484 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMA8051L | Виробник : ON Semiconductor / Fairchild |
MOSFET FET 40V 14.0 MOHM MLP22 |
на замовлення 4056 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||||||||||||||
 |
FDMA8051L | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 10A 6-Pin MLP EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| FDMA8051L | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 10A; Idm: 80A; 2.4W; MicroFET Case: MicroFET Mounting: SMD Drain current: 10A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 40V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape On-state resistance: 19mΩ Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 2.4W Gate charge: 20nC Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| FDMA8051L | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 10A; Idm: 80A; 2.4W; MicroFET Case: MicroFET Mounting: SMD Drain current: 10A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 40V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape On-state resistance: 19mΩ Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 2.4W Gate charge: 20nC Polarisation: unipolar |
товар відсутній |